2026.02.02
製品・サービス
低オン抵抗で高効率を実現する許容損失1.5WのMOSFETが、コンパクトなSC-74薄型パッケージで新登場。
高速スイッチングやLED駆動など幅広く使用可能。
Nch、ID：3.8A(大電流)、VDSS：60V、Ron：50mΩ（標準）、駆動電圧4Vタイプ、パッケージ：SC-74薄型(SC-95)
サンプル受付開始。 （形名：INK0410AC2）
高速スイッチングやLED駆動など幅広く使用可能。
Nch、ID：3.8A(大電流)、VDSS：60V、Ron：50mΩ（標準）、駆動電圧4Vタイプ、パッケージ：SC-74薄型(SC-95)
サンプル受付開始。 （形名：INK0410AC2）
2026.01.15
ニュースリリース
「NEPCON JAPAN 2026」に出展します。
・日時：2026年1月21日(水)~23日(金)
・会場：東京ビッグサイト
・ﾌﾞｰｽ：東京展示棟 第7ホール／小間番号：E36-28
〈展示予定製品〉
デジタル制御ゲートドライバ、三相ブリッジレスアクティブフィルタ、双方向DC-DC
MFT(ミニカスタムIC)、MOSFET、SiCショットキーバリアダイオード、三菱電機製パワースタック
・日時：2026年1月21日(水)~23日(金)
・会場：東京ビッグサイト
・ﾌﾞｰｽ：東京展示棟 第7ホール／小間番号：E36-28
〈展示予定製品〉
デジタル制御ゲートドライバ、三相ブリッジレスアクティブフィルタ、双方向DC-DC
MFT(ミニカスタムIC)、MOSFET、SiCショットキーバリアダイオード、三菱電機製パワースタック
2026.01.05
製品・サービス
車載対応(AEC-Q101準拠）したINKA214AP1を開発。
モーター、ソレノイド等のインダクタンス負荷駆動用途として最適！
Nch、VDSS：50±12V、ID：2A、Ron：200mΩ(標準)、駆動電圧4Vタイプ、パッケージ：SOT-89(SC-62)
量産出荷開始。 （形名：INKA214AP1-TH51）
モーター、ソレノイド等のインダクタンス負荷駆動用途として最適！
Nch、VDSS：50±12V、ID：2A、Ron：200mΩ(標準)、駆動電圧4Vタイプ、パッケージ：SOT-89(SC-62)
量産出荷開始。 （形名：INKA214AP1-TH51）
2025.12.19
企業情報
年末年始休業のお知らせ
・2025年12月27日（土）～2026年1月4日（日）
誠に勝手ながら、上記の期間を年末年始休業とさせていただきます。
休業期間中のお問い合わせにつきましては、年明け5日より順次対応させていただきます。
・2025年12月27日（土）～2026年1月4日（日）
誠に勝手ながら、上記の期間を年末年始休業とさせていただきます。
休業期間中のお問い合わせにつきましては、年明け5日より順次対応させていただきます。
2025.12.08
ニュースリリース
「SEMICON JAPAN 2025」に出展いたします。
・日時：2025年12月17日(水)～12月19日(金) (全日10:00～17:00)
・会場：東京ビックサイト
・ﾌﾞｰｽ：西展示棟 西2ホール 小間番号：W2169 (長崎県産業振興財団ブース内)
〈展示予定製品〉
三相ブリッジレスアクティブフィルタ、双方向コンバータ、デジタル制御ゲートドライバ、 MFT(ミニカスタムIC)、MOSFET、SiCショットキーバリアダイオード
・日時：2025年12月17日(水)～12月19日(金) (全日10:00～17:00)
・会場：東京ビックサイト
・ﾌﾞｰｽ：西展示棟 西2ホール 小間番号：W2169 (長崎県産業振興財団ブース内)
〈展示予定製品〉
三相ブリッジレスアクティブフィルタ、双方向コンバータ、デジタル制御ゲートドライバ、 MFT(ミニカスタムIC)、MOSFET、SiCショットキーバリアダイオード
2025.12.01
製品・サービス
車載対応(AEC-Q101準拠）したRT3DAAMを開発。
デュアルダイオード（MC2836）×2素子を、小型パッケージに集約することで高密度実装を実現。
注文受付開始。（形名：RT3DAAM-T150：SC-88 ）
デュアルダイオード（MC2836）×2素子を、小型パッケージに集約することで高密度実装を実現。
注文受付開始。（形名：RT3DAAM-T150：SC-88 ）
